水野智久

Tomohisa Mizuno

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (1件)： https://www.sci.kanagawa-u.ac.jp/math-phys/mizuno/

研究分野 (2件)：ナノ構造物理 , 電力工学

競争的資金等の研究課題 (10件)：

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論文 (164件)：

T. Mizuno, R. Kanazawa, Y. Omata, T. Aoki, T. Sameshima. SiC Dots in Amorphous-Si and Poly-Si Substrates Fabricated by Hot-C+ -Ion Implantation. Extended Abst. of Solid State Devices and Materials. 2018. 803-804
T. Mizuno, S. Nakada, M. Yamamoto, S. Irie, T. Aoki, T. Sameshima. SiC Nano-Dot Controlled by Hot-C+-Ion Implantation Conditions in Bulk-Si Substrate for Photonic Devices. Abst. IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop. 2018. 121-122
T. Mizuno, Y. Omata, R. Kanazawa, Y. Iguchi, S. Nakada, T. Aoki, T. Sasaki. Nano-SiC region formation in (100)Si-on-insulator substrate: Optimization of hot-C+-ion implantation process to improve photoluminescence intensity. Jpn. J. Appl. Phys. 2018. 57. 04FB03-1-04FB03-9
T. Mizuno, Y. Omata, S. Nakada, T. Aoki, T. Sasaki. Hot-C+-Ion Implantation Optimization for Forming Nano-SiC Region at Surface (100)SOI Substrate. Extended Abst. of SSDM. 2017. 537-538
T. Mizuno, S. Nakada, M. Yamamoto, S. Irie, Y. Omata, T. Aoki, T. Sameshima. SiC Nano-Dots in Bulk-Si Substrate Fabricated by Hot-C+-Ion Implantation Technique. Extended Abst. of SSDM. 2017. 597-598

特許 (35件)：

講演・口頭発表等 (102件)：

多結晶SiとアモルファスSi基板へのホットC+イオン注入法によるSiCナノドットの形成
(第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018)
バルクSi基板中のSiCナノドットサイズのプロセス依存性
(第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018)
SiC Dots in Amorphous-Si and Poly-Si Substrates Fabricated by Hot-C+ -Ion Implantation
(International Conference on Solid State Devices and Materials 2018)
SiC Nano-Dot Controlled by Hot-C+-Ion Implantation Conditions in Bulk-Si Substrate for Photonic Devices
(IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) 2018)
SiC Nano-Dots in Bulk-Si SubstrateFabricated by Hot-C+-Ion Implantation Technique
(SSDM 2017)

Works (30件)：

学歴 (3件)：

学位 (2件)：

経歴 (3件)：

受賞 (8件)：

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所属学会 (4件)：

日本応用物理学会 , IEEE , 日本物理学会 , 米国物理学会

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水野 智久