研究者
J-GLOBAL ID：200901072730849965   更新日: 2024年02月25日

高橋 庸夫

タカハシ ヤスオ | Takahashi Yasuo
所属機関・部署：
北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 先端エレクトロニクス講座

北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 先端エレクトロニクス講座 について


ホームページURL (2件)： http://www.ist.hokudai.ac.jp/labo/nano-mat/ ,  http://www.nano.eng.hokudai.ac.jp/~bukkou/index.html
研究分野 (7件)： 金属材料物性 ,  感性情報学 ,  ソフトコンピューティング ,  半導体、光物性、原子物理 ,  ナノマイクロシステム ,  ナノ材料科学 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (39件)： 電子デバイス・機器 ,  少数電子素子 ,  量子ドット ,  フレキシブル論理ゲート ,  省エネルギー ,  揺らぎ許容デバイス ,  先端機能デバイス ,  単電子転送 ,  ナノ材料 ,  集積化デバイス ,  シリコン ,  その場計測 ,  磁気抵抗効果 ,  電子顕微鏡 ,  単電子デバイス ,  ドナー ,  CMOSデバイス ,  電荷 ,  半導体 ,  ナノ物性 ,  ナノディスクアレイ構造 ,  その場観察 ,  トンネル接合 ,  アクセプタ ,  ゆらぎ ,  単電子トンネル伝導 ,  マイクロナノデバイス ,  少数電子デバイス ,  単一電子 ,  単電子伝導 ,  物性 * ,  マイクロ・ナノデバイス・電子機器 ,  電子デバイス・電子機器 ,  Atomic layer epitaxy ,  Metal silicide ,  Silicon MOS devices ,  Single electronics ,  Mesoscopic devices ,  Nanoscience
競争的資金等の研究課題 (17件)：
  • 2019 - 2022 抵抗変化酸化物の原子スケール表面観察を通した高精度人工シナプス材料の提案
  • 2016 - 2019 人工ニューロン開発を目指したその場TEM法による抵抗変化メモリ回路動作の研究
  • 2015 - 2019 超並列アナログ脳型LSIに向けたナノ構造メモリ素子とその集積回路化の研究
  • 2014 - 2016 サイドゲート制御型抵抗変化メモリの開拓
  • 2013 - 2016 TEM-STMその場計測による抵抗変化メモリの動作機構解明
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論文 (321件)：
  • Takayuki Gyakushi, Ikuma Amano, Ryota Tanizawa, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Characteristics of the single-electron conduction properties of randomly distributed metal nanodot arrays. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 025001-025001
  • Keiji Tsubaki, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Dynamics of an Electrically Driven Phase Transition in Ca2RuO4 Thin Films: Nonequilibrium High-Speed Resistive Switching in the Absence of an Abrupt Thermal Transition. Advanced Electronic Materials. 2023
  • Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Takayoshi Katase, Hiromichi Ohta, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Direct Imaging of Ion Migration in Amorphous Oxide Electronic Synapses with Intrinsic Analog Switching Characteristics. ACS Applied Materials & Interfaces. 2023. 15. 13. 16842-16852
  • Takayuki Gyakushi, Ikuma Amano, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Double gate operation of metal nanodot array based single electron device. Scientific Reports. 2022. 12. 1
  • Takayuki Gyakushi, Ikuma Amano, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Coulomb Blockade Oscillations Oberved in Micrometer-sized Single-Electron Device of Metal Nanodot Array. 2022 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW). 2022
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MISC (89件)：
  • 高橋庸夫, 寒川誠二, 有田正志, 大野武雄, 福地厚, 遠藤和彦, 李遠霖, 瘧師貴幸. ナノ構造を用いた多機能ナノデバイス作成とその応用に関する研究. 東北大学流体科学研究所共同利用・共同研究拠点流体科学国際研究教育拠点活動報告書. 2021. 2019 (CD-ROM)
  • 谷澤涼太, 天野郁馬, 瘧師貴幸, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫. 異なるSiO2下地層上に形成したナノドットアレイの電気特性比較. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • 谷澤涼太, 天野郁馬, 瘧師貴幸, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫. Feナノドットアレイの電気伝導特性の下地層依存性. 応用物理学会北海道支部/日本光学会北海道支部合同学術講演会講演予稿集. 2021. 56th-17th (CD-ROM)
  • 瘧師貴幸, 浅井佑基, BYUN Beommo, 天野郁馬, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫. 単層Feナノドットアレイを用いて作製した単電子デバイスの電気特性. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2021. 121. 44(ED2021 1-10)
  • 天野郁馬, 瘧師貴幸, 谷澤涼太, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫. 熱酸化およびスパッタ製膜SiO2上に形成したFeナノドットアレイの単電子特性. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
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特許 (6件)：
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書籍 (8件)：
  • 量子ドットエレクトロニクスの最前線
    NTS 2011
  • ナノシリコンの最新技術と応用展開(Developing Nanosilicon Technology and Device Applications)
    シーエムシー出版 2010
  • Developing Nanosilicon Technology and Device Applications
    2010
  • 自己組織化ハンドブック
    (株)エヌ・ティー・エス 2009
  • Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures
    Springer 2009
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講演・口頭発表等 (398件)：
  • Shape change dynamics of Cu filament in double layer CBRAM
    (30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2018) 2018)
  • Double-gate single-electron transistor characteristics of single-layer Fe-MgF2 granular films
    (30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2018) 2018)
  • Analog memory devices for time-domain weighted-sum calculation circuits
    (Fifteenth International Conference on Flow Dynamics (ICFD 2018) 2018)
  • Multilevel memory characteristics of Ta/Ta2O5-δ ReRAM for the Application of Neural Network
    (Fifteenth International Conference on Flow Dynamics (ICFD 2018) 2018)
  • Enhanced defect formation at metal/oxide interfaces and its application to resistive memory devices
    (7th International Symposium on Transparent Conductive Materials and the 5th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium on Advanced Oxides (TCM-2018) 2018)
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学歴 (4件)：
  • - 1982 東北大学 工学系研究科 電子工学専攻
  • - 1982 東北大学
  • - 1977 東北大学 工学部 電子工学科 卒
  • - 1977 東北大学
学位 (1件)：
  • <工学博士 1982年> (東北大学)
経歴 (15件)：
  • 2012 - 北海道大学 大学院・情報科学研究科 教授
  • 2002 - 2004 物性科学基礎研究所 先端デバイス研究部 部長
  • 2002 - 2004 Dean,Device Physics Lab., NTT Basic Research Labs.
  • 1999 - 2004 NTT 物性科学基礎研究所 SIナノデバイス研究グループリーダー
  • 1999 - 2004 Group Leader, Silicon Nanodevice Research Group,NTT Basic Research Labs.
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委員歴 (16件)：
  • 2013/12 - 現在 Silicon Nanoelectronics Workshop General Chair
  • 2013/04 - 現在 IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC)-2014 Organizing Committee Chair
  • 2013/03 - 現在 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 幹事長
  • 2012/04 - 現在 日本工学教育協会 学教育賞選考委員会委員
  • 2010/04 - 現在 北海道工学教育協会 理事
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受賞 (9件)：
  • 2014/04 - 応用物理学会 APEX/JJAP編集貢献賞 APEX/JJAP編集貢献賞
  • 2009/09 - 応用物理学会 応用物理学会フェロー フェロー
  • 2006/09 - 応用物理学会 第28回応用物理学会論文賞(JJAP論文賞)
  • 2005 - IEEE Computer Society 35th ISMVL Outstanding Contributed Paper Award
  • 2003 - 応用物理学会論文賞(JJAP 論文賞)
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所属学会 (6件)：
電気学会 ,  IEEE (米国電気電子学会) ,  応用物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  IEEE ,  The Institute of Electronics Information and Comunication Engineers
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