梅田享英

ウメダタカヒデ | Umeda Takahide

所属機関・部署：
職名：准教授

研究キーワード (2件)：量子センシング , パワーエレクトロニクス

競争的資金等の研究課題 (14件)：

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論文 (62件)：

Umeda, T, Watanabe, K, Hara, H, Sumiya, H, Onoda, S, Uedono, A, Chuprina, I, Siyushev, P, Jelezko, F, Wrachtrup, J, et al. Negatively charged boron vacancy center in diamond. PHYSICAL REVIEW B. 2022. 105. 16
Mizushima, Shigeki, Umeda, Takahide. Electron paramagnetic resonance study of silicon-28 single crystal for realization of the kilogram. METROLOGIA. 2022. 59. 2
Abe, Yuta, Chaen, Akihumi, Sometani, Mitsuru, Harada, Shinsuke, Yamazaki, Yuichi, Ohshima, Takeshi, Umeda, Takahide. Electrical detection of T-V2a-type silicon vacancy spin defect in 4H-SiC MOSFETs. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2022. 120. 6
Mizushima, Shigeki, Kuramoto, Naoki, Umeda, Takahide. Determination of Defect Concentrations in Si-28 Crystals Using EPR for the Realization of the Kilogram. IEEE TRANSACTIONS ON INSTRUMENTATION AND MEASUREMENT. 2021. 70. 1005706-1005706
T. Umeda, Y. Nakano, E. Higa, T. Okuda, T. Kimoto, T. Hosoi, H. Watanabe, M. Sometani, S. Harada. Electron-spin-resonance and electrically detected-magnetic-resonance characterization on PbC center in various 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces. Journal of Applied Physics. 2020. 127. 14. 145301-145301

書籍 (8件)：

SiC酸化膜界面のパッシベーション技術
応用物理学会先進パワー半導体分科会 2016 ISBN:9784863485846
応用物理
応用物理学会 2016
EDMR分光法によるシリコンMOSFET内部の結晶欠陥観察:トランジスタの中で欠陥は何をしているのか?(ISBN:978-4-86348-235-7)
応用物理学会分科会シリコンテクノロジーNo.146 2012
第40回薄膜・表面物理基礎講座「ナノ材料研究者のための表面・界面の評価技術の基礎と動向」(ISBN:978-4-86348-207-4)
応用物理学会薄膜・表面物理分科会 2011
半導体SiC技術と応用(第2版、松波弘之・大谷昇・木本恒暢・中村孝編著)
日刊工業新聞社 2011

講演・口頭発表等 (28件)：

4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価
(先進パワー半導体分科会第6回講演会 2019)
Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces
(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019)
The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study
(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) 2019)
SiC酸化膜界面の基礎物性解明に向けて
(SIP「次世代パワーエレクトロニクス」公開シンポジウム 2019)
4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御(II)
(第66回応用物理学会春季学術講演会 2019)

学歴 (2件)：

経歴 (2件)：

受賞 (2件)：

所属学会 (1件)：

応用物理学会

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梅田 享英