研究者
J-GLOBAL ID:200901084939799556
更新日: 2020年08月25日
近藤 進
コンドウ ススム | Kondo Susumu
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所属機関・部署:
新潟国際情報大学 情報文化学部 情報システム学科
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職名:
教授
研究分野 (4件):
電子デバイス、電子機器
, 光工学、光量子科学
, 結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (6件):
光集積回路
, エレクトロオプティクス
, エピタキシャル成長
, integrated optics
, electro-optics
, epitaxial growth
競争的資金等の研究課題 (2件):
光学素子と結晶成長の研究
Crystal growth for optical devices
MISC (22件):
M Ogasawara, R Iga, T Yamanaka, S Kondo, Y Kondo. Correlation between Fe-Zn interdiffusion observed by scanning capacitance microscopy and device characteristics of electro-absorption modulators. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2003. 42. 4B. 2320-2324
M Ogasawara, R Iga, T Yamanaka, S Kondo, Y Kondo. Correlation between Fe-Zn interdiffusion observed by scanning capacitance microscopy and device characteristics of electro-absorption modulators. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2003. 42. 4B. 2320-2324
走査容量顕微法で観察した鉄-亜鉛の相互拡散と吸収形光変調器特性との関係. 日本応用物理学会英文誌. 2003. 42巻第1部 4B号 2320
S Kondo, Y Noguchi, K Tsuzuki, M Yuda, S Oku, Y Kondo, H Takeuchi. Ruthenium-doped semi-insulating InP-buried InGaAlAs/InAlAs multi-quantum-well modulators. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS. 2002. 41. 2B. 1171-1174
S Kondo, Y Noguchi, K Tsuzuki, M Yuda, S Oku, Y Kondo, H Takeuchi. Ruthenium-doped semi-insulating InP-buried InGaAlAs/InAlAs multi-quantum-well modulators. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS. 2002. 41. 2B. 1171-1174
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特許 (2件):
Semi-insulating substrate, semiconductor optical device and fabrication method of
Semiconductor Optical device and the fabrication method
学歴 (2件):
- 1972 新潟大学 工学部 電子工学科
- 1972 新潟大学
学位 (1件):
博士(工学) (京都大学)
経歴 (2件):
1972 - 2001 日本電信電話株式会社フォトニクス研究所主任研究員
1972 - 2001 NTT Photonics Laboratories Senior Research Engineer
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