研究者
J-GLOBAL ID：200901085783757544   更新日: 2020年08月29日

松浦 哲也

マツウラ テツヤ | Matsuura Tetsuya
ホームページURL (1件)： http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000009112192-00
研究分野 (5件)： 電子デバイス、電子機器 ,  結晶工学 ,  応用物性 ,  ナノマイクロシステム ,  ナノ材料科学
研究キーワード (19件)： 遠赤外 ,  近赤外 ,  深紫外 ,  近紫外 ,  発光ダイオード ,  希窒化物半導体 ,  砒化物半導体 ,  窒化物半導体 ,  インジウム砒素 ,  MOCVD法 ,  MBE法 ,  面発光レーザ ,  アンチモン ,  量子ドット ,  Molecular Beam Epitaxy ,  Vertical Cavity Sarface Emitting Laser ,  antimony ,  Sb ,  Quantum Dot
競争的資金等の研究課題 (1件)：
  • 2004 - 2007 MBE法によるGaAs上1.5μm帯InAs/GaInAsSb量子ドットレーザ
論文 (31件)：
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特許 (11件)：
  • NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
  • P-ALGAN LAYER, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
  • SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
  • Light-emitting element
  • 発光素子
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講演・口頭発表等 (34件)：
  • Investigation of growth condition for GaAsSb quantum wells by MBE
    (2006)
  • Polarization characteristics of MBE grown InAs QDd with Ga(In)AsSb cover layer
    (2006)
  • Investigation of photoluminescence characteristics of InAs quantum dots on GaNAs buffer layer
    (2006)
  • Polarization characteristics of MBE grown InAs QD with Ga(In)AsSb cover layer II
    (2006)
  • Formation and optical characteristics of InAs quantum dots with dilute N/Sb
    (2006)
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Works (5件)：
  • MOCVD法による近紫外発光ダイオードの開発
    松浦 哲也 2010 -
  • MOCVD法による深紫外発光ダイオードの開発
    松浦 哲也 2008 -
  • MOCVD法による赤外線GaInAsP系発光ダイオードの開発
    松浦 哲也 2007 - 2008
  • MBE法によるGaInAsSb系量子ドットレーザの研究
    松浦 哲也 2004 - 2007
  • MBE法による通信波長帯GaInNAs系面発光レーザの研究
    松浦 哲也 2002 - 2004
学歴 (2件)：
  • - 2007 東京工業大学 総合理工学研究科 物理情報システム創造
  • - 2007 東京工業大学
学位 (1件)：
  • 工学博士 (東京工業大学)
経歴 (1件)：
  • 2004 - 2005 東京工業大学大学院 21世紀COEプログラム「フォトニクスナノデバイス集積工学」 COE課程博士研究員
所属学会 (2件)：
社団法人 応用物理学会 ,  The Japan Society of Applied Physics
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