吉本昌広

ヨシモトマサヒロ | Yoshimoto Masahiro

所属機関・部署：
職名：理事・副学長
ホームページURL (1件)： http://www.cis.kit.ac.jp/~yoshimot/index.php

研究分野 (5件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学 , 薄膜、表面界面物性 , 結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (11件)：シリコン , 化合物半導体 , 光デバイス , 半導体量子界面物性 , 半金属 , 半導体 , 薄膜堆積 , 結晶成長 , Microscopic Spectroscopy , Quantum interface properties of semiconductor , Epitaxy of semiconductor

競争的資金等の研究課題 (43件)：

2016 - 2019 ビスマス含有狭バンドギャップ半金属半導体混晶の創製とフォトニックデバイスへの応用
2012 - 2015 発振波長が温度に依存しない希釈ビスマスIII-V族半導体レーザの実現
2010 - 2012 次世代発光デバイス用新材料および量子ドット構造への光照射劣化の研究
2009 - 2011 発振波長が温度に依存しないレーザ用希釈ビスマスIII-V族半導体超格子に関する研究
2007 - 2008 希釈ビスマスIII-V族半金属半導体混晶GaInAsBiの創製と物性制御

全件表示

論文 (156件)：

Kazuki Shimazoe, Hiroyuki Nishinaka, Masahiro Yoshimoto. Heteroepitaxial growth of a-, m-, and r-plane α-Ga2O3 thin films on rh-ITO electrodes for vertical device applications. Journal of Crystal Growth. 2024. 630
Yoko Taniguchi, Hiroyuki Nishinaka, Kazuki Shimazoe, Toshiyuki Kawaharamura, Kazutaka Kanegae, Masahiro Yoshimoto. Visible-light absorption of indium oxide thin films via Bi³⁺ doping for visible-light-responsive photocatalysis. Materials Chemistry and Physics. 2024. 315
Kazuki Shimazoe, Hiroyuki Nishinaka, Masahiro Yoshimoto. Demonstration of vertical schottky barrier diodes based on α-Ga2O3 thin films enabled by corundum structured rh-ITO bottom electrodes. MRS Advances. 2024
Shoma Hosaka, Hiroyuki Nishinaka, Temma Ogawa, Hiroki Miyake, Masahiro Yoshimoto. High conductivity of n-type β-Ga2O3(010) thin films achieved through Si doping by mist chemical vapor deposition. AIP Advances. 2024. 14. 1
Osamu Ueda, Hiroyuki Nishinaka, Noriaki Ikenaga, Noriyuki Hasuike, Masahiro Yoshimoto. TEM characterization of defects in κ-(Inx Ga1-x )2O3 thin film grown on (001) FZ-grown ε-GaFeO3 substrate by mist CVD. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 12

MISC (9件)：

西中浩之, 上田修, 迫秀樹, 池永訓昭, 宮戸祐治, 蓮池紀幸, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広. ε-GaFeO₃基板を用いた単一ドメインκ-Ga₂O₃の成長. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 83rd
木下雄介, 富永依里子, 尾江邦重, 吉本昌広. 分子線エピタキシー法によるGaAs_<1-x>Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作. 電子情報通信学会技術研究報告. PN, フォトニックネットワーク. 2008. 107. 464. 107-110
SASAKI T., MINAMI H., KISODA K., YOO W. S., YOSHIMOTO M., HARIMA H. UV-VIS Raman Characterization of High Dose Ultra Shallow Implanted Silicon before and after Excessive Annealing. Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials. 2007. 2007. 360-361
吉本昌広, 西垣宏, 播磨弘, 一色俊之, KANG Kitaek, YOO Woo Sik. 急速熱処理した極浅イオン注入シリコンウエハの紫外ラマン分光による非破壊結晶性評価. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2006. 106. 417. 25-30
田口貢士, 吉本昌広, 更家淳司. 有機液体原料を用いたリモートプラズマCVD法による低炭素濃度シリコン窒化膜の堆積. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2002. 102. 540. 29-32

特許 (29件)：

書籍 (7件)：

Molecular Beam Epitaxy: Materials and Applications for Electronics and Optoelectronics
Wiley 2019 ISBN:9781119355014
Molecular Beam Epitaxy 2nd Edition
Elsevier 2018 ISBN:9780128121368
日本復活の鍵起業工学
富山房インターナショナル 2016 ISBN:9784866000084
Molecular beam epitaxy : from research to mass production
Elsevier 2013 ISBN:9780123878397
Bismuth-containing compounds
Springer 2013 ISBN:9781461481201

講演・口頭発表等 (35件)：

Microstructures of ε-Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> thin film on (100) TiO<inf>2</inf> substrate by mist chemical vapor deposition
(IMFEDK 2019 - International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2019)
ミストCVD法によるn<sup>+</sup>-Si(100)基板上への強誘電体HfO<sub>2</sub>薄膜の作製とその電気的特性
(応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2019)
Heteroepitaxial growth of ε-Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf>thin films on cubic (111) GGG substrates by mist chemical vapor deposition
(IMFEDK 2017 - 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2017)
発振波長の低い温度依存性を有するGaAsBiレーザダイオードの実現 (機構デバイス)
(電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2014)
GaAsBi Laser Diodes with Low Temperature Dependence of Lasing Wavelength
(2014 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO) 2014)

Works (4件)：

発振波長温度無依存レーザの開発
2005 - 2018
窒素ラジカルビームを用いた大面積薄膜製造装置の試作
2005 -
サブミクロン解像度極低温顕微ルミネセンス装置
2002 - 2004
Control in electronic properties of wide gapsemiconductor and its application to energy electronics
1997 - 1998

学歴 (2件)：

1983 - 1988 京都大学工学研究科電気工学第二専攻
1979 - 1983 京都大学工学部電子工学科

学位 (1件)：

工学博士 (京都大学)

経歴 (8件)：

2018/04 - 現在京都工芸繊維大学理事
2015/04 - 現在京都工芸繊維大学副学長
2007/04 - 2018/03 京都工芸繊維大学電子システム工学部門教授
2004/04 - 2007/03 京都工芸繊維大学地域共同研究センター教授
1997/03 - 2004/03 京都工芸繊維大学電子情報工学科助教授

全件表示

受賞 (2件)：

2016 - 応用物理学会第10回(2016)フェロー表彰ビスマス系半金属半導体の高品質単結晶成長とバンド構造制御
2014 - 日本学術振興会科学研究費助成事業平成26年度審査委員表彰

所属学会 (12件)：

IEEE , Materials Research Society , The Electrochemical Society , 日本材料学会 , 電気学会 , 電子情報通信学会 , 応用物理学会 , The Society of Materials Science, Japan , The Institute of Electrical Engineers of Japan , Information and Communication Engineers , The Institute of Electronics , The Japan Society of Applied Physics

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

吉本 昌広

吉本昌広