研究者

J-GLOBAL ID：200901090275601907 更新日: 2020年09月01日

和田敏美

ワダトシミ | Wada Toshimi

所属機関・部署：
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T32632560

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

競争的資金等の研究課題 (1件)：

スピン・単一電子効果デバイスの研究

MISC (5件)：

T Nakane, T Naka, H Kito, T Wada, A Matsushita, H Kumakura, T Mochiku. The effect of pressure on the T-c value of Y2C3 compounds. PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS. 2005. 426. 492-496
T Mochiku, T Nakane, H Kito, H Takeya, S Harjo, T Ishigaki, T Kamiyama, T Wada, K Hirata. Crystal structure of yttrium sesquicarbide. PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS. 2005. 426. 421-425
S Haraichi, T Wada, K Ishii, K Hikosaka. Spin-polarized tunneling in ultrasmall vertical ferromagnetic tunnel junctions. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2004. 43. 9A. 6061-6064
T Sugaya, KY Jang, T Wada, A Sato, M Ogura, K Komori. V-grooved InGaAs quantum-wire FET fabricated under an As-2 flux in molecular-beam epitaxy. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2003. 251. 1-4. 843-847
T. Sugaya, K. Y. Jang, T. Wada, M. Ogura, K. Komori. V-grooved InGaAs quantum-wire FET fabricated under an As2 flux in molecular beam epitaxy. MBE 2002 - 2002 12th International Conference on Molecular Beam Epitaxy. 2002. MBE XII 2002. 133-134

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