福田 安生

• 半導体上の原子細線及び分子細線の研究
• 化合物半導体薄膜形成基礎過程の研究
• 化合物半導体表面の構造と電子状態の研究
• Study of atomic wires and molecular wires on semiconductors
• Study of basic processes on fabrication of compound semiconductor films
Surface structures and electronic states of compound semiconductor surfaces

• Y Fukuda, T Kobayashi, T Shirai, N Kadotani, M Shimomura. Adsorption and decomposition of t-butylphosphine (TBP) on an InP(001)-(2 x 4)/c(2 x 8) surface studied by STM, TPD, and HREELS. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2003. 212. 329-333
• Y Fukuda, T Kobayashi, T Shirai, N Kadotani, M Shimomura. Adsorption and decomposition of t-butylphosphine (TBP) on an InP(001)-(2 x 4)/c(2 x 8) surface studied by STM, TPD, and HREELS. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2003. 212. 329-333
• Y Fukuda, S Ichikawa, M Shimomura, N Sanada, Y Suzuki. Structures and electronic states of InAs (001) and (111)B surfaces passivated with sulfur studied by AES, LEED, UPS, XPS, and IPES. VACUUM. 2002. 67. 1. 37-41
• Y Fukuda, S Ichikawa, M Shimomura, N Sanada, Y Suzuki. Structures and electronic states of InAs (001) and (111)B surfaces passivated with sulfur studied by AES, LEED, UPS, XPS, and IPES. VACUUM. 2002. 67. 1. 37-41
• H Kuramochi, J Cui, M Ozeki, H Uchida, H Akinaga, H Yoshida, N Sanada, Y Fukuda. Decomposition of trisdimethylaminoarsenic and As nucleation on GaAs(001)-2x4 at low temperature. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2002. 81. 1. 132-134

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• 高純度化のための分析技術
  フジテクノシステム 1996
• 固体表面分析I
  講談社サイエンティフィク 1995

• - 1977 北海道大学 理学研究科 化学
• - 1977 北海道大学
• - 1967 北海道大学 理学部 化学
• - 1967 北海道大学

• 理学博士
• Dr. Science

• 2000 - 表面分析研究会 理事
• 2000 - 日本材料科学会 理事
• 2000 - Surface Analysis Society of Japan Trustee
• 2000 - The Materials Science of Japan trustee
• 1993 - 日本応用物理学会 薄膜表面分科会幹事
1987 - 日本材料科学会 評議委員
1987 - 日本表面科学会 常務理事

表面分析研究会 ,  アメリカ真空学会 ,  米国真空学会(American Vacuum Society) ,  日本材料科学会 ,  日本物理学会 ,  日本化学会 ,  日本応用物理学会 ,  日本表面科学会 ,  Surface Analysis Society of Japan ,  American Vacuum Sciety ,  The Materials Science of Japan