研究者
J-GLOBAL ID：200901091481980589
更新日: 2020年06月06日
野々垣 陽一
ノノガキ ヨウイチ | Nonogaki Youichi
所属機関・部署：
旧所属 自然科学研究機構 分子科学研究所 極端紫外光科学研究系 岡崎国立共同研究機構 (分子科学研究所) 極端紫外光科学研究系
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職名：
助手
研究分野 (2件)：
電気電子材料工学
, 薄膜、表面界面物性
研究キーワード (2件)：
結晶成長 固体の表面構造
, Crystal growth Surface structure of solids
競争的資金等の研究課題 (4件)：
InP上InAs量子ドットの形成
Si上SiO
2
膜の放射光励起脱離のSTM観察
Formation of InAs Quantum Dots on InP substrate
STM observation of SR stimulated desorption of SiO┣D22┫D2 on Si surface
MISC (20件)：
Y Nonogaki, Y Gao, H Mekaru, T Miyamae, T Urisu. Nanostructure formation on Si (111) surface assisted by synchrotron radiation illumination - Characterization by scanning tunneling microscopy. JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA. 2001. 119. 2-3. 241-246
Y Nonogaki, H Hatate, R Oga, S Yamamoto, Y Fujiwara, Y Takeda, H Noda, T Urisu. SR-stimulated etching and OMVPE growth for semiconductor nanostructure fabrication. MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY. 2000. 74. 1-3. 7-11
Y Fujiwara, T Kawamoto, S Fuchi, M Ichida, Y Nonogaki, A Nakamura, Y Takeda. Er-related luminescence from self-assembled InAs quantum dots doped with Er by organometallic vapor-phase epitaxy. JOURNAL OF LUMINESCENCE. 2000. 87-9. 326-329
Growth mode transition of InGaAs in OMVPE grouth on GaP (001)(共著). Microelectronic Engineering. 2000. 51-52. 35
Shingo Fuchi, Youichi Nonogaki, Hiromitsu Moriya, Yasufumi Fujiwara, Yoshikazu Takeda. Effects of GaP cap layor growth on self-assembled InAs-islands grown on GaP (001) by organometallic vapor phase epitaxy (共著). Jpn. J. Appl. Phys. 2000. 39. 6A. 3290-3293
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学位 (1件)：
博士(工学) (名古屋大学)
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