花田貴

ハナダタカシ | Hanada Takashi

所属機関・部署：
職名：助教

研究分野 (4件)：半導体、光物性、原子物理 , 結晶工学 , 応用物性 , 薄膜、表面界面物性

研究キーワード (3件)：表面構造 , 化合物半導体 , 分子線エピタキシ

競争的資金等の研究課題 (20件)：

2022 - 2026 酸化ガリウム低指数面の清浄・吸着表面の原子構造と電気特性
2023 - 2024 汎用表面構造解析プログラム「2DMAT」高度化に向けての調査研究II
2018 - 2021 窒化物半導体エピタキシャル膜の極性選択機構
2016 - 2019 窒素極性窒化物半導体による二次元電子ガス発生構造の成長技術
2012 - 2015 オール窒化物半導体による白色光源の実現に向けた赤色発光層の開発

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論文 (225件)：

Daisuke Matsukura, Shunsuke Kurosawa, Akihiro Yamaji, Yuji Ohashi, Yuui Yokota, Kei Kamada, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Masao Yoshino, Takashi Hanada, et al. Relationship of single crystal growth and luminescence properties of Cr-doped gadolinium gallium garnet crystals for radiation dose-rate monitoring systems. Journal of Crystal Growth. 2024
Rei Sasaki, Kei Kamada, Masao Yoshino, Kyoung Jin Kim, Rikito Murakami, Takahiko Horiai, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Hiroki Sato, et al. Investigation of the phase diagram of the CsI-LiBr system and fabrication of the eutectic scintillator for thermal neutron detection. Journal of Crystal Growth. 2024. 628
Naomoto Hayashi, Yuui Yokota, Takahiko Horiai, Kohei Yamanoi, Masao Yoshino, Akihiro Yamaji, Rikito Murakami, Takashi Hanada, Hiroki Sato, Yuji Ohashi, et al. Crystal growth, luminescence, and scintillation properties of Er-doped La₂Hf₂O₇ single crystal. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 3. 03SP15-03SP15
Daisuke Matsukura, Shunsuke Kurosawa, Chihaya Fujiwara, Akihiro Yamaji, Yuji Ohashi, Yuui Yokota, Kei Kamada, Hiroki Sato, Yoshino Masao, Takashi Hanada, et al. Feasibility study of one-dimensional imaging with an optical fiber for radiation dose-rate monitoring system in the decommissioning process. Journal of Instrumentation. 2024. 19. 2
Naomoto Hayashi, Yuui Yokota, Takahiko Horiai, Masao Yoshino, Akihiro Yamaji, Rikito Murakami, Takashi Hanada, Hiroki Sato, Yuji Ohashi, Shunsuke Kurosawa, et al. Growth of Mg2Si thermoelectric eutectics by unidirectional solidification. Journal of Crystal Growth. 2024

MISC (86件)：

藤原千隼, 藤原千隼, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 山路晃広, 山路晃広, 田中浩基, 高田卓志, 大橋雄二, et al. 赤色発光を示すヨウ化物中性子シンチレータの発光特性. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
松倉大佑, 松倉大佑, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 藤原千隼, 藤原千隼, 山路晃広, 山路晃広, 大橋雄二, et al. 廃炉作業用放射線モニタリングシステムに用いる酸化物長波長発光シンチレータの開発. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
松倉大佑, 松倉大佑, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 黒澤俊介, KOCHURIKHIN Vladimir, 小玉翔平, 藤原千隼, 藤原千隼, 山路晃広, et al. 廃炉作業におけるガンマ線検出に向けたNd添加Y₃Al₅O₁₂シンチレータの開発. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 83rd
野口太生, 大橋雄二, 面政也, 横田有為, 黒澤俊介, 鎌田圭, 佐藤浩樹, 豊田智史, 吉野将生, 山路晃広, et al. 水晶二層構造厚みすべり振動子の接合境界で生じる反射の影響の検討. 圧電材料・デバイスシンポジウム. 2022. 2022
花田貴, 吉野将生, 山路晃広, 黒澤俊介, 鎌田圭, 大橋雄二, 佐藤浩樹, 豊田智史, 横田有為, 吉川彰. N極性GaN有機金属気相成長のステップフロー成長モデル. 日本結晶成長学会誌. 2021. 48. 1. 03-1-03-12

書籍 (9件)：

ZnO系の最新技術と応用《普及版》
シーエムシー出版 2013 ISBN:9784781307107
酸化亜鉛の最先端技術と将来
シーエムシー出版 2011 ISBN:9784781303208
Oxide and Nitride Semiconductors Processing, Properties, and Applications
Springer Berlin Heidelberg 2009 ISBN:9783540888468
発光と受光の物理と応用
培風館 2008 ISBN:9784563067700
第5版実験化学講座24 表面・界面
丸善 2007 ISBN:9784621073230

講演・口頭発表等 (40件)：

Polygonal Spiral Growth Model on N-polar GaN
(The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023)
Surface Structure of Cleaved ScAlMgO4(0001) Substrate for III-nitrides Analyzed by X-ray Crystal Truncation Rod Scattering
(The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017)
Roll of Hydrogen during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of N-polar III-nitrides
(The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017)
X線CTR散乱によるScAlMgO4(0001)劈開面の構造解析
(第64回応用物理学会春季学術講演会 2017)
Ga-polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO4 (0001) substrate with millimeter-scale wide terraces
(The 2016 European Materials Research Society Fall Meeting 2016)

学位 (1件)：

(理学)博士 (東京大学)

所属学会 (2件)：

応用物理学会 , 日本物理学会

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