研究者
J-GLOBAL ID:200901097234782713   更新日: 2024年04月17日

志村 考功

シムラ タカヨシ | Shimura Takayoshi
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (6件): 光工学、光量子科学 ,  応用物理一般 ,  量子ビーム科学 ,  電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (8件): ゲート絶縁膜 ,  X線位相イメージング ,  ゲルマニウム ,  シリコンフォトニクス ,  X線イメージング ,  電子デバイス材料 ,  X線結晶学 ,  X-ray Crystallography
競争的資金等の研究課題 (45件):
  • 2022 - 2025 局所液相成長によるGeSn細線の形成とレーザーダイオードの動作実証
  • 2018 - 2019 構造化X線光源による高感度・高分解能透過型X線撮像法の実証
  • 2013 - 2018 相界面反応制御技術を基軸とした混晶材料の設計と新機能発現
  • 2016 - 2017 SOIピクセル検出器による自己像直接検出型タルボ・ロー干渉計の高度化
  • 2015 - 2017 局所液相エピタキシャル成長によるGeSnワイヤの形成とその光電子デバイス応用
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論文 (541件):
  • Takuma Kobayashi, Asato Suzuki, Takato Nakanuma, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Characterization of nitrided SiC(1 1 ̅ 00) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024. 175. 108251-108251
  • Takuma Kobayashi, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Separate evaluation of interface and oxide hole traps in SiO2/GaN MOS structures with below- and above-gap light excitation. Applied Physics Express. 2023. 17. 1. 011003-011003
  • Tae-Hyeon Kil, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Design of SiO2/4H-SiC MOS interfaces by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing. AIP Advances. 2023. 13. 11. 115304-1-115304-5
  • Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Oxygen-vacancy defect in 4H-SiC as a near-infrared emitter: An ab initio study. Journal of Applied Physics. 2023. 134. 14. 145701-1-145701-9
  • Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Passivation of hole traps in SiO2/GaN metal-oxide-semiconductor devices by high-density magnesium doping. Applied Physics Express. 2023. 16. 10. 105501-1-105501-4
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MISC (107件):
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特許 (31件):
書籍 (9件):
  • Epitaxially Ordered Structure in the Buried Oxide Layer of SIMOX Waters
    The Physics and Chemistry of SiO<sub>2</sub> and the Si-SiO<sub>2</sub> Interface 4,(The Electrochemical Society, INC) 2000
  • Analysis of Orderd Structure of Buried Oxide Layers in SIMOX Waters
    1999
  • Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanisms
    Elsevier Science 1997
  • Thermally Oxidized Layers on Si-wafers-Surface X-ray Scattering and Field Ion Microscopy-(共著)
    1997
  • Structure of thermal Oxide on(111)and(011)Si Wafers(共著)
    1996
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講演・口頭発表等 (67件):
  • 犠牲酸化プロセスによる SiC MOSFET の電気特性劣化
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における下地SiO2膜厚とレーザー走査速度の最適化
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • 低温追酸化によるSiO2/SiC界面発光中心の密度制御と電気特性との相関
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • 第一原理計算に基づく4H-SiC中酸素関連欠陥の系統的調査
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • Si 基板上 GeSn 細線のレーザー溶融結晶化における レーザー走査条件と下地 SiO2膜厚の最適化
    (第 29 回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2024)
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Works (6件):
  • ガラス基板表面の核形成点制御による大粒径多結晶薄膜形成法の開発
    2004 -
  • 原子論的生産技術の創出拠点
    2004 -
  • X線を用いた酸化Siナノ構造の歪みの定量解析
    1999 -
  • ナノメータ・デバイス対応のSOIウェーハに対する極限評価技術の開発
    1999 -
  • Characterization of Oxidized Si Nano-structure by X-ray Dittraction
    1999 -
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学位 (1件):
  • 博士(工学) (名古屋大学)
経歴 (13件):
  • 2024/04 - 現在 大阪大学 工学研究科 招へい教授
  • 2024/04 - 現在 早稲田大学 大学院情報生産システム研究科 教授
  • 2020/04 - 2024/03 大阪大学 工学研究科 物理学系専攻 准教授
  • 2007/01 - 2024/03 大阪大学・准教授
  • 2007/04/01 - 2020/03/31 大阪大学 工学研究科 生命先端工学専攻 准教授
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受賞 (4件):
  • 2016/09 - 公益社団法人 応用物理学会 第8回(2016年秋季)応用物理学会 Poster Award
  • 2016/03 - 応用物理学会 第7回(2016年春季)応用物理学会 Poster Award
  • 2014/03 - 応用物理学会 第3回(2014年春季)応用物理学会 Poster Award
  • 2008/11 - The Japan Society of Applied Physics, Japan 2008 IWDTF Best Poster Award
所属学会 (11件):
日本放射光学会 ,  応用物理学会 ,  日本結晶学会 ,  日本物理学会 ,  The Japanese Society for Synchrotron Radiation Research ,  The Japan Society of Applied Physics ,  The Crystallographic Society of Japan ,  The Physical Society of Japan ,  放射光学会 ,  結晶学会 ,  物理学会
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