Zn拡散ガードリングを有するプレーナInPアバランシェフォトダイオード

ANDO H; SUSA N; KANBE H

文献

J-GLOBAL ID：200902000015869080 整理番号：81A0300849

Zn拡散ガードリングを有するプレーナInPアバランシェフォトダイオード

Planar InP avalanche photodiode with Zn-diffused guard ring.

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資料名：
巻： 17 号： 8 ページ： 292-294 発行年： 1981年04月16日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

450°CにおいてZn拡散により形成したp^+</s...

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光導電素子

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