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J-GLOBAL ID：200902000022893493   整理番号：93A0180301

Selective Growth of Cubic SiC on Si by Chemical Vapor Deposition.

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著者 (4件)：
NISHINO S

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(Kyoto Inst. Technology, Kyoto, JPN)

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TAKAHASHI K

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(Kyoto Inst. Technology, Kyoto, JPN)

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ISHIDA H

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(Kyoto Inst. Technology, Kyoto, JPN)

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SARAIE J

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(Kyoto Inst. Technology, Kyoto, JPN)

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資料名：
Amorphous and Crystalline Silicon Carbide 3 and Other Group 4-4 Materials  (Amorphous and Crystalline Silicon Carbide 3 and Other Group 4-4 Materials)

Amorphous and Crystalline Silicon Carbide 3 and Other Group 4-4 Materials について


ページ： 295-300  発行年： 1992年 
JST資料番号： K19930052  ISBN： 3-540-53603-5  資料種別： 会議録 (C)
発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
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