転位を含み大量ドープしたGaAsの基礎吸収端の異常なふるまい

文献

J-GLOBAL ID：200902000041907373 整理番号：84A0302141

Аномальное поведение края фундаментального поглощения в сильно легированном GaAs с дислокациями.

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巻： 26 号： 2 ページ： 606-607 発行年： 1984年02月
JST資料番号： R0029B ISSN： 0367-3294 CODEN： FTVTA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：ロシア (RUS) 言語：ロシア語 (RU)

自由正孔濃度3×10¹⁷cm<sup>...

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光物性一般

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