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文献J-GLOBAL ID:200902000052812323整理番号:82A0336096

Investigation of interface states in MIS-type Al-,Au- and Sn-GaAs Schottky barriers with a thin interfacial oxide layer.

薄い界面酸化物層をもつMIS型のAl‐,Au‐およびSn‐GaAs Schottky障壁の界面準位の研究

著者:Van MEIRHAEGHE R L(Rijksuniv. Gent, Belgium)、LAFL<span style=text-decoration:overline>E`</span>RE W H(Rijksuniv. Gent, Belgium)、LI Yu‐M(Rijksuniv. Gent, Belgium)・・・
資料名:J Phys D 巻:14 号:8 ページ:1505-1512
発行年:1981年08月14日
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