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J-GLOBAL ID：200902000058403751   整理番号：87A0315329

エピタキシャルSi-Ge(111)系における歪み誘起表面再構成

Strain-induced surface reconstruction in the epitaxial Si-Ge(111) system.
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著者 (3件)：
NAKAGAWA K

NAKAGAWA K について

(FOM-Inst. Atomic and Molecular Physics, Amsterdam, NLD)

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MARE ́E P M J

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VAN DER VEEN J F

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(FOM-Inst. Atomic and Molecular Physics, Amsterdam, NLD)

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資料名：
18th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1986, Vol.1  (18th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1986, Vol.1)

18th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1986, Vol.1 について


ページ： 93-96  発行年： 1986年 
JST資料番号： K19870207  ISBN： 9971-50-197-X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)
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反射型高エネルギー電子回折(RHEED)と高分解能Ruthe...
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