{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2024年03月
文献
J-GLOBAL ID:200902000071302140   整理番号:83A0008418

MOSトランジスタにおける熱い電子 トラップされた酸化物電荷の横方向分布

Hot electrons in MOS transistors: Lateral distribution of the trapped oxide charge.
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: 215-217  発行年: 1982年07月 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
飽和にバイアスされたMOSトランジスタへの熱い電子注入によっ...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=83A0008418&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0344B") }}
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ 

前のページに戻る