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J-GLOBAL ID：200902000075830000   整理番号：84A0346905

論文「イオンチャネリング法による半絶縁性GaAs中のCrの格子位置」に関するコメント

Comment on “Lattice location of chromium in semi-insulating GaAs by ion channeling techniques”

著者 (4件)： PRONKO P P (Universal Energy Systems, Ohio) ,  BHATTACHARYA R S (Universal Energy Systems, Ohio) ,  HOLLAND O W (Oak Ridge National Lab., Tennessee) ,  APPLETON B R (Oak Ridge National Lab., Tennessee)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 44  号： 1  ページ： 150  発行年： 1984年01月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題論文(T.Haga and Y.Abe,Appl.Phy...

シソーラス用語： イオンチャネリング ,...

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分類 (1件)： チャネリング,ブロッキング,粒子のエネルギー損失  (BK16100J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 論文 ,  イオンチャネリング法 ,  半絶縁性 ,  GaAs ,  Cr ,  格子 ,  コメント