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文献J-GLOBAL ID:200902000092183370整理番号:84A0314519

The influence of growth conditions on selenium incorporation in GaAs grown by molecular beam epitaxy.

分子線エピタクシー法によって成長させたGaAs中へのSeの導入に対する成長条件の影響

著者:ANDREWS D A(British Telecom)、KONG M Y(British Telecom)、HECKINGBOTTOM R(British Telecom)・・・
資料名:J Appl Phys 巻:55 号:4 ページ:841-845
発行年:1984年02月15日
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