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文献
J-GLOBAL ID:200902000101593462   整理番号:89A0076041

HBrガスを用いた低温RIEによるpoly-Siのエッチング形状制御

Variable profile poly-Si etching with low temperature RIE and HBr gas.
著者 (3件):
資料名:
巻: 10th  ページ: 58-63  発行年: 1988年10月 
JST資料番号: Y0378A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分類 (1件):
分類
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固体デバイス製造技術一般 

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