文献
J-GLOBAL ID：200902000105237962
整理番号：90A0538330
プラズマ溶射したシリコン層の酸化挙動
Investigation of the oxidation behaviour of plasma sprayed silicon layers.
-
出版者サイト
複写サービスで全文入手
{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=90A0538330©=1") }}
-
高度な検索・分析はJDreamⅢで
{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=90A0538330&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=K19900535") }}
著者 (1件)：
資料名：
ページ：
267-276
発行年：
1989年
JST資料番号：
K19900535
ISBN：
1-85573-001-4
資料種別：
会議録 (C)
記事区分：
原著論文
発行国：
イギリス (GBR)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
3種の粒子寸法のSi粉末をプラズマ溶射して被覆形成過程におけ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
続きはJDreamIII（有料）にて
{{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=90A0538330&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=K19900535") }}
分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜
タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
,
,
前のページに戻る
