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J-GLOBAL ID：200902000108987091   整理番号：91A0134698

電子ビーム照射を用いたAl₂O₃基板上へのSiガスソースエピタキシャル選択成長

Si selective epitaxial growth on Al₂O₃ substrate using electron beam irradiation.

著者 (3件)： 沢田和明 (豊橋技科大) ,  石田誠 (豊橋技科大) ,  中村哲郎 (豊橋技科大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 90  号： 349(SDM90 159-175)  ページ： 75-80  発行年： 1990年12月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si₂H₆ソース...

シソーラス用語： MBE成長 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子ビーム照射 ,  Al2O3 ,  Si ,  選択成長