Climb of dislocations induced by oxygen precipitation in silicon.

文献

J-GLOBAL ID：200902000118848219 整理番号：92A0225843

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号： 117 ページ： 217-220 発行年： 1991年
JST資料番号： E0403B ISSN： 0305-2346 CODEN： IPHSAC 資料種別：会議録 (C)
発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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