挿入型層状物質の二次元的バンド電子によるCoulombポテンシャルの遮へい

HIRAMOTO H; SEKIGUCHI T; NAKAO K

文献

J-GLOBAL ID：200902000126513838 整理番号：87A0499854

挿入型層状物質の二次元的バンド電子によるCoulombポテンシャルの遮へい

Screening of Coulomb potential by 2-dimensional band electrons in intercalated layered materials.

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資料名：
巻： 56 号： 6 ページ： 2168-2173 発行年： 1987年06月
JST資料番号： G0509A ISSN： 0031-9015 CODEN： JUPSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

挿入イオンのCoulombポテンシャルにおよぼすしゃへい効果...

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半導体結晶の電子構造

引用文献 (14件)：

1) M. S. Dresselhaus and G. Dresselhaus: Adv. Phys. 30 (1978) 139.
2) G. Kirczenow: Synth. Met. 12 (1985) 143.
3) H. Miyazaki and C. Horie: Synth. Met. 12 (1985) 149.
4) S. Miyazima: Synth. Met. 12 (1985) 155.
5) H. Hiramoto and K. Nakao: J. Phys. Soc. Jpn. 56 (1987) 217.

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