光照射および照射損傷a-Si:Hにおける自己補償ドーピング

STITZL H; KROETZ G; MUELLER G

文献

J-GLOBAL ID：200902000147233533 整理番号：91A0570743

光照射および照射損傷a-Si:Hにおける自己補償ドーピング

Autolcompensation Doping in Light-Soaked and in Radiation-Damaged a-Si:H.

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資料名：
巻： 52 号： 5 ページ： 335-338 発行年： 1991年05月
JST資料番号： D0256C ISSN： 0947-8396 CODEN： APHYCC 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

n型a-Si:H膜を光,電子,陽子および重イオンビームで照射...

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半導体薄膜 , 半導体の放射線による構造と物性の変化

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