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文献J-GLOBAL ID:200902000148108929整理番号:83A0071632

The effect of Al-GaAs interaction on the technology of self-aligned gallium arsenide MESFETs.

自己整合されたGaAs MESFET技術に及ぼすAl‐GaAs相互作用の影響

著者:SINGH B R(Central Electronics Engineering Research Inst., India)、DAGA O P(Central Electronics Engineering Research Inst., India)、KOCHHAR M(Central Electronics Engineering Research Inst., India)・・・
資料名:Solid-State Electron 巻:25 号:12 ページ:1206-1207,1209
発行年:1982年12月
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