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J-GLOBAL ID：200902000149357833   整理番号：86A0362854

極めて低いイオンエネルギー(0-200eVの範囲)でSi上への⁷⁴Geと³⁰Siをイオンビームたい積する際のイオン-固体相互作用

Ion-solid interactions during ion beam deposition of ⁷⁴Ge and ³⁰Si on Si at very low ion energies (0-200eV range)

著者 (5件)： HERBOTS N (Oak Ridge National Lab., TN) ,  APPLETON B R (Oak Ridge National Lab., TN) ,  NOGGLE T S (Oak Ridge National Lab., TN) ,  ZUHR R A (Oak Ridge National Lab., TN) ,  PENNYCOOK S J (Oak Ridge National Lab., TN)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 13  号： 1/3  ページ： 250-258  発行年： 1986年03月01日 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質及びエピタクシー層のイオンビームたい積(IBD)の可能...

シソーラス用語： ゲルマニウム ,...
準シソーラス用語： イオンビームたい積 ,...

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分類 (2件)： イオンとの相互作用  (BK16070Z) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオンエネルギー ,  Si ,  イオンビーム ,  たい積 ,  イオン-固体相互作用