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文献J-GLOBAL ID:200902000151254090整理番号:90A0105500

Thermally stable ohmic contacts to n-type GaAs. V. Metal-semiconductor field-effect transistors with NiInW ohmic contacts.

n型GaAsへの熱安定性Ohm接触 V NiInW Ohm接触を用いた金属半導体電界効果トランジスタ

著者:MURAKAMI M(IBM Research Division, New York)、PRICE W H(IBM Research Division, New York)、GREINER J H(IBM Research Division, New York)・・・
資料名:J Appl Phys 巻:65 号:9 ページ:3546-3551
発行年:1989年05月01日
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