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J-GLOBAL ID：200902000153271242   整理番号：92A0616587

液相堆積法によるSiO₂膜の電気的特性 低温アニーリングによる電気的特性の改善

Electric Characteristics of SiO₂ Films Prepared by Liquid Phase Deposition. Improvement of electrical characteristics by low temp. annealing.

著者 (4件)： 吉富貞幸 (横浜国大 工) ,  富岡聡志 (横浜国大 工) ,  福光賢児 (横浜国大 工) ,  羽路伸夫 (横浜国大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 92  号： 165(SDM92 26-34)  ページ： 7-15  発行年： 1992年07月27日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 室温程度のH₂SiF_6</s...

シソーラス用語： 酸化膜 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 液相 ,  堆積 ,  SiO2 ,  電気的特性 ,  低温 ,  アニーリング