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J-GLOBAL ID：200902000157881207   整理番号：88A0166163

高感度半導体セラミクスの微視的物理模型 II

A microstructure physical model of sensitive semiconductor ceramics. (II).

著者 (1件)： NAN C-W (Wuhan Univ. Technology, CHN)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 36  号： 10  ページ： 1305-1312  発行年： 1987年10月 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 前論文で発展させた標記の模型を使って温度,ガス,湿度などに敏感なセラミクスの電気的特性を記述し,いくつかの重要な結果を得た。理論は実験とよく合い,高感度セラミクスの材料設計理論の基礎になる。BaTiO₃の電気抵抗率の温度依存性の例を示す

シソーラス用語： セラミック ,  チタン酸バリウム ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  吸着 ,  半導体

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高感度 ,  セラミクス ,  物理模型