SR X線リソグラフィーでのシリコン基板からの二次電子放出の効果

文献

J-GLOBAL ID：200902000167089650 整理番号：90A0019722

The effects of secondary electrons from a silion substrate on SR X-ray lithography.

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巻： 28 号： 10 ページ： 2070-2073 発行年： 1989年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

シンクロトロン放射(SR)を用いたX線描画を行う場合,シリコ...

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固体デバイス製造技術一般

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