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文献
J-GLOBAL ID:200902000177047351   整理番号:87A0101736

みぞをつけた(100)GaAs基板面での液相エピタキシャル成長

Liquid-phase epitaxy on channeled (100) GaAs substrates.
著者 (3件):
資料名:
巻: 21  号:ページ: K146-K148  発行年: 1986年08月 
JST資料番号: B0738A  ISSN: 0232-1300  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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微細構造におけるLPE成長の機構を究明する目的で,Crドープ...
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分類 (2件):
分類
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半導体薄膜  ,  固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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