文献

J-GLOBAL ID：200902000178834144   整理番号：90A0918988

Al/Ge単結晶薄膜の界面成長様式の原子サイズレベルの観測

Atomic image observation by high resolution electron microscope at the interface between Al epitaxialy grown films and Ge substrate.

著者 (5件)： 和田真一郎 (京大) ,  臼井博明 (京大) ,  山田公 (京大) ,  DAMEN U (Univ. California) ,  WESTMACOTT K H (Univ. California)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 51st  号： 2  ページ： 365  発行年： 1990年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (9件)： Al ,  Ge ,  単結晶薄膜 ,  界面 ,  成長 ,  様式 ,  原子 ,  サイズ ,  観測