文献

J-GLOBAL ID：200902000180076664   整理番号：93A0173252

MoシースPbMo₆S₈線材の微細組織と臨界電流密度 HIP処理で達成された高J_c

Microstructure and Critical Current Densities of Mo-sheathed PbMo₆S₈ Wires. High Transport J_c Achieved by HIP Treatments.

著者 (6件)： YAMASAKI H (MITI, Ibaraki, JPN) ,  KIMURA Y (MITI, Ibaraki, JPN) ,  UMEDA M (MITI, Ibaraki, JPN) ,  KOSAKA S (MITI, Ibaraki, JPN) ,  WILLIS T C (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA) ,  LARBALESTIER D C (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA)
資料名： Science Reports of the Research Institutes, Tohoku University. Series A. Physics, Chemistry and Metallurgy  (Science Reports of the Research Institutes, Tohoku University. Series A. Physics, Chemistry and Metallurgy)
巻： 37  号： 1  ページ： 59-66  発行年： 1992年11月 
JST資料番号： F0995A  ISSN： 0040-8808  CODEN： SRTAA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Moをシース材としたPbMo₆S<su...

シソーラス用語： 硫化物 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0173252&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0995A") }}

分類 (2件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： Mo ,  シース ,  線材 ,  微細組織 ,  臨界電流密度 ,  HIP