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J-GLOBAL ID:200902001837673087   整理番号:93A0049684

アフタグロープラズマ化学蒸着法で作製したa-Si1-xNx:H膜における引張応力の発生機構

Generation Mechanism of Tensile Stress in a-Si1-xNx:H Films Prepared by Afterglow Plasma Chemical Vapor Deposition Technique.
著者 (7件):
資料名:
巻: 31  号: 11B  ページ: L1628-1631  発行年: 1992年11月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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標記の非晶質窒化けい素膜をNH3のマイ...
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分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  固体の機械的性質一般 
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