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文献
J-GLOBAL ID:200902001838993700   整理番号:84A0287351

照射されたMOSキャパシタの熱刺激電流測定

Thermally stimulated current measurements on irradiated MOS capacitors.
著者 (1件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: 4064-4070  発行年: 1983年12月 
JST資料番号: C0235A  ISSN: 0018-9499  CODEN: IETNAE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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放射線照射したシリコンMOSキャパシタのSi-SiO<sub...
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分類 (2件):
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金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  ,  半導体の放射線による構造と物性の変化 
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
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