文献

J-GLOBAL ID：200902001839245996   整理番号：89A0421805

高電圧集積回路用の新型SOI構造MOSFET

Novel silicon-on-insulator MOSFET for high-voltage integrated circuits.

著者 (1件)： RATNAM P (Univ. Toronto, Ontario, CAN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 25  号： 8  ページ： 536-537  発行年： 1989年04月13日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧IC技術とSOI技術を組み合わせて,降伏電圧が~500...

シソーラス用語： 高電圧 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高電圧 ,  集積回路 ,  SOI構造 ,  MOSFET