Si(100)上のSiO<sub>2</sub>の成長初期過程の基板温度依存性

LUTZ F; BISCHOFF J L; BOLMONT D; KUBLER L

文献

J-GLOBAL ID：200902001842787627 整理番号：90A0882263

Si(100)上のSiO₂の成長初期過程の基板温度依存性

Variation de mode de croissance initiale de SiO₂ sur Si(001) en fonction de la tempe ́rature de substrat.

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巻： 25 号： 9 ページ： 923-929 発行年： 1990年09月
JST資料番号： B0655A ISSN： 0035-1687 CODEN： RPHAA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：フランス (FRA) 言語：フランス語 (FR)

Si(001)-2×1表面の初期酸化過程(単分子層領域)をX...

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半導体の表面構造 , 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】

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Si(100)上のSiO2の成長初期過程の基板温度依存性

Si(100)上のSiO₂の成長初期過程の基板温度依存性