文献
J-GLOBAL ID:200902001849038662
整理番号:91A0196178
フォトCVD成長の窒化りん薄膜を用いた新しいInP Schottkyダイオード
A new InP Schottky diode using a photo-CVD grown phosphorus-nitride film.
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著者 (3件):
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資料名:
ページ:
344-347
発行年:
1990年
JST資料番号:
K19910039
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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