文献

J-GLOBAL ID：200902001850583631   整理番号：92A0332154

Al_xGa_1-xAs/GaAs/Al_xGa_1-xAs量子井戸中のサブバンド間光学遷移における自由キャリアによって誘起される吸収率および屈折率の変化

Free carrier induced changes in the absorption and refractive index for intersubband optical transitions in Al_xGa_1-xAs/GaAs/Al_xGa_1-xAs quantum wells.

著者 (3件)： IYENGAR G U (Univ. Washington, WA) ,  KUHN K J (Univ. Washington, WA) ,  YEE S (Univ. Washington, WA)
資料名： Institute of Physics Conference Series  (Institute of Physics Conference Series)
号： 120  ページ： 431-436  発行年： 1992年 
JST資料番号： E0403B  ISSN： 0305-2346  CODEN： IPHSAC  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al_xGa_1-x...

シソーラス用語： ヒ化ガリウムアルミニウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=92A0332154&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0403B") }}

分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  量子井戸 ,  サブバンド ,  光学遷移 ,  自由キャリア ,  誘起 ,  吸収率 ,  屈折率