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J-GLOBAL ID：200902001852770803   整理番号：90A0577131

サブミクロンMOSトランジスタのバンド対バンドトンネル漏洩電流の発生領域の推定法

Method for estimating the generation region for band-to-band tunnel leakage current of submicron MOS transistors.
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著者 (3件)：
ASAKURA F

ASAKURA F について

(NEC Corp. Tokyo)

NEC Corp. Tokyo について

, 
MATSUMOTO H

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(NEC Corp., Kawasaki, JPN)

NEC Corp., Kawasaki, JPN について

, 
KIKKAWA T

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(NEC Corp. Tokyo)

NEC Corp. Tokyo について


資料名：
NEC Research & Development  (NEC Research & Development)

NEC Research & Development について


号： 97  ページ： 13-17  発行年： 1990年04月 
JST資料番号： G0138A  ISSN： 0547-051X  CODEN： NECRA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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2次元静電ポテンシャル分布からサブミクロンMODトランジスタ...
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MOSFET

MOSFET について

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分類 (1件)：
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

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MOSトランジスタ

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バンド

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トンネル

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漏洩電流

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, 
推定法

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