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文献J-GLOBAL ID:200902001852770803整理番号:90A0577131

Method for estimating the generation region for band-to-band tunnel leakage current of submicron MOS transistors.

サブミクロンMOSトランジスタのバンド対バンドトンネル漏洩電流の発生領域の推定法

著者:ASAKURA F(NEC Corp. Tokyo)、MATSUMOTO H(NEC Corp., Kawasaki, JPN)、KIKKAWA T(NEC Corp. Tokyo)
資料名:NEC Res Dev 号:97 ページ:13-17
発行年:1990年04月
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