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J-GLOBAL ID：200902001856185441   整理番号：90A0007134

MMIC用ステップドープ構造GaAs MESFET

GaAs MESFET with step-doped channel for MMICs.

著者 (5件)： 中島成 (住友電気工業) ,  乙部健二 (住友電気工業) ,  勝山造 (住友電気工業) ,  志賀信夫 (住友電気工業) ,  林秀樹 (住友電気工業)
資料名： SEIテクニカルレビュー  (住友電気)
号： 135  ページ： 48-52  発行年： 1989年09月 
JST資料番号： F0314A  ISSN： 1343-4330  CODEN： SUDEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機金属気相成長法によるエピタキシャル層とイオン注入により自...

シソーラス用語： MESFET ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： MMIC ,  ドープ ,  GaAs ,  MESFET