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文献J-GLOBAL ID:200902001861679045整理番号:83A0236340

Tellurium and iodine in silicon Part II: Hall effect and resistivity measurements on ion implanted silicon.

けい素中のテルルとよう素 II イオン注入したけい素のHall効果と抵抗の測定

著者:KEMERINK G J(Univ. Groningen, The Netherlands)、De WAARD H(Univ. Groningen, The Netherlands)、NIESEN L(Univ. Groningen, The Netherlands)・・・
資料名:Radiat Eff 巻:69 号:1/2 ページ:101-112
発行年:1983年
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