分子ビームエピタキシーで成長させたAl<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As(x=0.7)中の深い電子捕獲中心に対するV/III族フラックス比の効果

HAYAKAWA T; KONDO M; SUYAMA T; TAKAHASHI K; YAMAMOTO S; YANO S; HIJIKATA T

文献

J-GLOBAL ID：200902001862515550 整理番号：87A0025186

分子ビームエピタキシーで成長させたAl_xGa_1-xAs(x=0.7)中の深い電子捕獲中心に対するV/III族フラックス比の効果

Effect of group V/III flux ratio on deep electron traps in Al_xGa_1-xAs (x=0.7) grown by molecular beam epitaxy.

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資料名：
巻： 49 号： 13 ページ： 788-790 発行年： 1986年09月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Siドープ(100)GaAs基板上に720°Cで分子ビームエ...

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不純物・欠陥の電子構造 , 半導体薄膜

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分子ビームエピタキシーで成長させたAlxGa1-xAs(x=0.7)中の深い電子捕獲中心に対するV/III族フラックス比の効果

分子ビームエピタキシーで成長させたAl_xGa_1-xAs(x=0.7)中の深い電子捕獲中心に対するV/III族フラックス比の効果