シリコンにおける谷間有効質量方程式とカルコゲンの深いドナー  圧力効果

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文献

J-GLOBAL ID：200902001864122734 整理番号：84A0418704

シリコンにおける谷間有効質量方程式とカルコゲンの深いドナー圧力効果

Intervalley effective-mass equation and deep chalcogen donors in silicon: Pressure effects.

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資料名：
巻： 29 号： 2 ページ： 866-868 発行年： 1984年01月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

バンド構造の谷間散乱を考慮に入れた有効質量理論を使って,Si...

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不純物・欠陥の電子構造

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シリコンにおける谷間有効質量方程式とカルコゲンの深いドナー 圧力効果

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