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J-GLOBAL ID：200902001866249979   整理番号：86A0206196

ひ化ガリウム及びシリコンにおける置換損傷及び線量増化

Displacement damage and dose enhancement in gallium arsenide and silicon.
著者 (3件)：
GARTH J C

GARTH J C について

(Rome Air Development Center, MA)

Rome Air Development Center, MA について

, 
BURKE E A

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(Rome Air Development Center, MA)

Rome Air Development Center, MA について

, 
WOOLF S

WOOLF S について

(Arcon Corp., MA)

Arcon Corp., MA について


資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)

IEEE Transactions on Nuclear Science について


巻： 32  号： 6  ページ： 4382-4387  発行年： 1985年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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GaAs及びSiにおいて電子ビーム及びガンマ線が引き起す損傷...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ヒ化ガリウム

ヒ化ガリウム について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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置換損傷

置換損傷 について

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分類 (2件)：
分類
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放射線物理一般 
(BK16010L)

放射線物理一般 について

,  半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
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ひ化ガリウム

ひ化ガリウム について

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シリコン

シリコン について

, 
置換

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損傷

損傷 について

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線量

線量 について


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