文献

J-GLOBAL ID：200902001868113683   整理番号：91A0684834

Si結晶の熱処理過程と欠陥の形成

Defect formation in the cooling process after CZ-Si growth.

著者 (3件)： 篠山誠二 (新日本製鉄 エレクトロニクス研) ,  長谷部政美 (新日本製鉄 エレクトロニクス研) ,  山内剛 (新日本製鉄 エレクトロニクス研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 60  号： 8  ページ： 766-773  発行年： 1991年08月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコンウエハー中の欠陥はデバイスの歩留まりと密接に関係して...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (26件)：

• 1) 阿部孝夫:応用物理59, 272 (1990).
• 2) S. Kishino, Y. Matsushita and M. Kanamori: Appl. Phys. Lett. 35, 213 (1979).
• 3) M. Imai and Y. Yatsurugi: Proc. Int. Conf. Defect Control in Semiconductors, Yokohama, 1989, p163 (North-Holland, Amsterdam, 1990).
• 4) E. Kuroda, H. Kozuka and Y. Takano: J. Cryst. Growth 68, 613 (1984).
• 5) T. Y. Tan, E. E. Gardener and W. K. Tice: Appl. Phys. Lett. 30, 175 (1977).

タイトルに関連する用語 (3件)： Si結晶 ,  処理過程 ,  欠陥