AlGaAs-GaAs二重ヘテロ構造の半絶縁層からの放射

BEISTER G; KRISPIN P; MAEGE J; BACHERT H-J; STOEFF ST

文献

J-GLOBAL ID：200902001873167694 整理番号：86A0099321

AlGaAs-GaAs二重ヘテロ構造の半絶縁層からの放射

Emission from a semi-insulating layer in AlGaAs-GaAs double heterostructures.

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BEISTER G

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Physica Status Solidi. A. Applied Research (Physica Status Solidi. A. Applied Research)

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巻： 91 号： 1 ページ： K93-K96 発行年： 1985年09月
JST資料番号： D0774A ISSN： 0031-8965 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

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GaAs基板上に760~730°Cで液相エピタキシにより作っ...

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