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J-GLOBAL ID：200902001873671074   整理番号：88A0601107

引上げ半導体結晶中の不純物濃度分布解析

Analysis of impurity concentration distribution in pulled semiconductor crystals.

著者 (4件)： 早川泰弘 (静岡大 電子工研) ,  斉藤幸夫 (静岡大 電子工研) ,  杉本祐司 (静岡大 電子工研) ,  熊川征司 (静岡大 電子工研)
資料名： 静岡大学電子工学研究所研究報告  (Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University)
巻： 23  号： 1  ページ： 21-33  発行年： 1988年 
JST資料番号： S0453A  ISSN： 0286-3383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 回転引上げ法で成長させた結晶中の不純物濃度分布に影響を与える...

シソーラス用語： 結晶引上法 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 引上げ ,  半導体結晶 ,  不純物濃度 ,  分布 ,  解析