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J-GLOBAL ID：200902001876072309   整理番号：82A0278147

MOSパワートランジスタの基本的限界 通電状態の抵抗RONと電圧VDBRの関係

Limitation fondamentale dans les transistors MOS de puissance; le compromis entre la re ́sistance a l’e ́tat passant RON et la tension de claquage VDBR.
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著者 (4件)：
ROSSEL P

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(Lab. Automatique et d’Analyse des Systemes, France)

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TRANDUC H

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GAMBOA M

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PHAN PHAM T

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資料名：
Revue de Physique Appliquee  (Revue de Physique Appliquee)

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巻： 16  号： 9  ページ： 509-515  発行年： 1981年09月 
JST資料番号： B0655A  ISSN： 0035-1687  CODEN： RPHAA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： フランス (FRA)  言語： フランス語 (FR)
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パワーMOSTのON抵抗と絶縁破壊電圧の積R<sub>ON<...
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トランジスタ 
(NC03070N)

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通電

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